Январь 22nd, 2019 
Тайваньская компания Etron Technology представила альтернативную архитектуру памяти DRAM (Dynamic Random-Access Memory – "динамическая память с произвольным доступом") – RPC DRAM (RPC – Reduced Pin Count). Она отличается уменьшенным числом контактов, при этом, как утверждают в компании, пропускная способность и емкость новых чипов сопоставимы с таковыми у памяти DDR4. По словам главы Etron Ники Лу(Nicky Lu), технология RPC DRAM позволит добиться уменьшения физических размеров и стоимости модулей памяти, что cделает ее подходящей для применения в разработке различных гаджетов и прочих компактных устройств.
Читай также: Новый тип флеш-памяти анонсировали в Японии
Архитектура RPC DRAM схожа с DDR3 или LPDDR3 с организацией X16, X32, X64, обеспечивает пропускную способность порядка 4,8 ГБ/сек, 9,6 ГБ/сек или 19,2 ГБ/сек соответственно и предусматривает наличие лишь 22 пинов. Регистры шины данных переключаются между адресным и командным режимами.
Etron также продемонстрировала разные варианты «упаковки» чипов. Самый компактный из них характеризуется размерами в 4,7 х 2 мм.
В настоящее время компания сотрудничает с Lattice Semiconductor, американским производителем программируемых логических схем (ПЛИС). В результате совместной работы компаниям удалось собрать демонстрационный образец на базе отладочной платы Lattice EPC5-5G и памяти Etron RPC DRAM. Lattice также обещает выпустить «серию эталонных платформ, которые позволят ускорить разработку с использованием технологии RPC» в первой половине 2019 г.
Напомним, ранее сообщалось, что Lenovo выпустила первый смартфон с памятью на 12 Гб.
Хотите знать важные и актуальные новости раньше всех? Подписывайтесь на страницу Bigmir)net в Facebook: facebook.com/bigmir.net.
magne1906